特許
J-GLOBAL ID：200903090022844355
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-177504
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115869
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 シリコン表面からパーティクル、金属不純物を除去し、かつ、基板の洗浄中及び搬送中に基板表面の親水性を維持して汚染を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 第1の洗浄工程にて、シリコン基板10を第1の洗浄液22で洗浄し、その際にシリコン表面上に自然酸化膜を形成する。その基板10を第1のリンス液32にてリンスする第1のリンス工程を実施した後、自然酸化膜が形成された基板10を、フッ化水素を含む第2の洗浄液42で洗浄する。この第2の洗浄工程では、自然酸化膜の表層が除去される。さらに、第2の洗浄液42が付着した基板10を第2のリンス液52でリンスする第2のリンス工程が実施される。第2の洗浄工程の開始から第2のリンス工程の開始までの時間をT<SB>1</SB>としたとき、以下の関係が成立する。T<SB>1</SB><6.35×10<SP>6</SP>×[フッ化水素の濃度(ppm)]<SP>-2.214</SP>
請求項（抜粋）：
シリコン表面を有する基板上に半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記基板を第1の洗浄液で洗浄し、その際に前記シリコン表面上に自然酸化膜が形成される第1の洗浄工程と、前記第1の洗浄液が付着した前記基板を第1のリンス液でリンスする第1のリンス工程と、前記自然酸化膜が形成された前記基板を、フッ化水素を含む第2の洗浄液で洗浄し、その際に前記自然酸化膜の表層が除去される第2の洗浄工程と、前記第2の洗浄液が付着した前記基板を第2のリンス液でリンスする第2のリンス工程と、を有し、前記第2の洗浄工程の開始から前記第2のリンス工程の開始までの時間をT1(分)としたとき、T1<6.35×10<SP>6</SP>×[フッ化水素の濃度(ppm)]<SP>-2.214</SP>の関係が成り立つことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/316
, H01L 29/78
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/304 341 M
, H01L 21/304 341 L
, H01L 21/316 S
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 371
