特許

J-GLOBAL ID：200903090038046386

波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス、並びにそれらの製造方法

発明者： 北岡 康夫 ,  水内 公典 ,  山本 和久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-247635
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289131
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 ジャンクションダウン実装した場合にも安定した波長可変動作が実現できる波長可変半導体レーザを提供するとともに、基板厚さ方向の実装精度を向上させて、半導体レーザチップからのレーザ光を光導波路デバイスの光導波路に高効率に結合させることができる光集積化デバイスを提供する。【解決手段】 波長可変半導体レーザが、サブマウントと、該サブマウントの上に実装されている、少なくとも活性層領域と分布ブラッグ反射領域とを有する半導体レーザチップと、を備え、該半導体レーザチップは、エピタキシャル成長面が該サブマウントと向かい合うように、且つ該活性層領域の放熱状態と該分布ブラッグ反射領域の放熱状態とが異なるように、実装されている。上記の波長可変半導体レーザが実装されているサブマウントの上に、更に光導波路デバイスを実装して、光集積化デバイスを構成する。

請求項（抜粋）：

サブマウントと、該サブマウントの上に実装されている、少なくとも活性層領域と分布ブラッグ反射領域とを有する半導体レーザチップと、を備え、該半導体レーザチップは、エピタキシャル成長面が該サブマウントと向かい合うように、且つ該活性層領域の放熱状態と該分布ブラッグ反射領域の放熱状態とが異なるように、該サブマウントの上に実装されている、波長可変半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 3/18 616 ,  H01S 3/18 644 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/37

FI (4件)：

H01S 3/18 616 ,  H01S 3/18 644 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/37

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-258106   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-351618   出願人：日本電信電話株式会社