特許
J-GLOBAL ID：200903090048651903

静電気的にクランプされるプラズマ処理用エッジリング

発明者：
ヒューバセク、 ジェロム エス.

ヒューバセク、 ジェロム エス. について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-534582
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511901
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
静電エッジリングチャックによって支持されるエッジリングを含む結合リングアセンブリ及びプラズマ処理チャンバのエッジリングの温度制御を改善する方法。エッジチングは、シリコン、SiCなどの導電性材料で作られることができ、エッジリングの温度制御は、エッジリングの対向面とエッジリングチャックとの間にヘリウムなどの伝熱ガスを供給することによって改善される。
請求項（抜粋）：
プラズマ反応チャンバ内で基板支持体を取り囲むように構成された結合リングアセンブリであって、 環状の支持面を有する部材と、 前記支持面上の静電チャックと、 を備えることを特徴とする結合リングアセンブリ。
IPC (2件)：
H01L21/68 ,  H01L21/3065
FI (2件)：
H01L21/68 R ,  H01L21/302 101G
Fターム (16件)：
5F004BA04 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004BC03 ,  5F004CA09 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA37 ,  5F031HA39 ,  5F031HA50 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA11 ,  5F031PA30
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • プラズマ処理装置用基板ホルダー
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-166719   出願人：アネルバ株式会社
  • 静電チャック用シールド
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157015   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
  • 半導体製造方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-096675   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
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審査官引用 (4件)
  • プラズマ処理装置用基板ホルダー
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-166719   出願人：アネルバ株式会社
  • 静電チャック用シールド
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157015   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
  • 半導体製造方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-096675   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
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