特許
J-GLOBAL ID:200903090050254903
薄膜トランジスタ及び表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
芝野 正雅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-279874
公開番号(公開出願番号):特開2001-102595
出願日: 1999年09月30日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 スイッチング用TFTのリーク電流を抑制して自発光素子駆動用TFTのゲート電極の電位を一定に保つことによりEL素子が発光すべき輝度で発光するEL表示装置を提供するとともに、高密度に表示画素及び各配線を配置することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】 ゲート信号線51aの一部が突出して成るゲート電極11の延在方向が、そのゲート信号線51aの延在方向に対して傾斜した形状とすることにより、スイッチング用TFT30の能動層をa-Si膜に線状のレーザ光を照射してp-Si膜とする際に、チャネル13cとの接合部とレーザ光の長軸方向の端部と重畳しないため、リーク電流の発生しないスイッチング用TFT30を得ることがとができ、安定した表示のEL表示装置を得ることができる。
請求項(抜粋):
ゲート信号線から突出して成るゲート電極の主たる延在方向が、前記ゲート信号線の延在方向に対して傾斜していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件):
H01L 29/786
, G09F 9/30 338
, H05B 33/14
FI (4件):
G09F 9/30 338
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 618 C
Fターム (51件):
3K007AB02
, 3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 5C094AA05
, 5C094AA22
, 5C094AA25
, 5C094AA43
, 5C094AA48
, 5C094BA03
, 5C094BA29
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA10
, 5C094EB02
, 5C094FA01
, 5C094FB01
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094GB10
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE04
, 5F110EE28
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG44
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HL03
, 5F110HM15
, 5F110HM17
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN72
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP23
, 5F110QQ11
引用特許:
審査官引用 (5件)
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液晶表示素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-194113
出願人:カシオ計算機株式会社
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特開昭63-151083
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表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-028706
出願人:三洋電機株式会社
-
アクティブマトリクス型表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-234921
出願人:セイコーエプソン株式会社
-
半導体表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-026592
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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