特許
J-GLOBAL ID：200903056329823700
半導体表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-026592
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214700
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 画像むらのないアクティブマトリクス型の半導体装置を提供すること。【解決手段】 駆動回路のアナログスイッチやバッファをそれぞれ、チャネル幅の小さなTFTで構成された複数のアナログスイッチやバッファを並列に接続した構成とし、かつこれらの複数のTFTのキャリアの移動方向と、レーザ結晶化させる時に用いる線状レーザの走査方向とを斜めにする。こうすることによって、アナログスイッチやバッファの特性のばらつきを減少させ、かつ劣化を抑えることができ、画像むらのないアクティブマトリクス型の半導体装置が実現される。
請求項（抜粋）：
画素マトリクス回路と、ソース信号線側駆動回路と、ゲイト信号線側駆動回路と、を備えた半導体表示装置であって、前記ソース信号線側駆動回路は、バッファとソース信号線に直接接続されたアナログスイッチとを有しており、前記バッファはx個(xは2以上の整数)のバッファを並列に接続して構成され、前記アナログスイッチは、y個(yは2以上の整数)のアナログスイッチを並列に接続して構成され、前記ゲイト信号線側駆動回路は、ゲイト信号線に直接接続されたバッファを有しており、前記バッファは、z個(zは2以上の整数)のバッファを並列に接続して構成され、前記画素マトリクス回路、前記ソース信号線側駆動回路、および前記ゲイト信号線側駆動回路は、珪素膜を用いた複数のTFTによって構成され、前記珪素膜は、線状レーザを走査することによって結晶化され、前記アナログスイッチおよび前記バッファを構成する前記複数のTFTのキャリア移動方向は、線状レーザの走査方向に対して斜めであることを特長とする半導体表示装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, G02F 1/133 550
, G02F 1/136 500
, G09F 9/33
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 C
, G02F 1/133 550
, G02F 1/136 500
, G09F 9/33 K
, H01L 29/78 627 G
