特許
J-GLOBAL ID：200903090062023796

レジンダイヤモンドブレード及び該ブレードを使用した光導波路の製造方法

発明者：
前田 明雄

前田 明雄 について

, 
塩谷 隆司

塩谷 隆司 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370603
公開番号（公開出願番号）：特開2003-172839
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 ダイシングと同時に端面研磨が可能な光導波路の製造方法を提供することである。【解決手段】 シリコン系光導波路の製造方法であって、内部に形成された複数の光導波路を有するシリコンウエハを準備するステップと、厚さt1の第1レジンダイヤモンドブレードを用いて、シリコンウエハに第1のダイシングを施して切断溝を形成するステップと、t1よりも大きな厚さt2の第2レジンダイヤモンドブレードを用いて、切断溝に沿ってシリコンウエハに第2のダイシングを施して光導波路端面を研磨するステップを含んでいる。第2レジンダイヤモンドブレードは粒径2μm以下のダイヤモンド砥粒を含んでおり、t1+0.01mm≦t2≦t1+0.05mmの関係を満たす必要がある。
請求項（抜粋）：
厚さt1の第1レジンダイヤモンドブレードを用いて、複数の光導波路を有するシリコンウエハに第1のダイシングを施して切断溝を形成し、前記t1より大きな厚さt2の第2レジンダイヤモンドブレードを用いて、前記切断溝に沿って前記シリコンウエハに第2のダイシングを施して光導波路端面を研磨する、各ステップを具備し、前記第2レジンダイヤモンドブレードは粒径2μm以下のダイヤモンド砥粒を含んでおり、t1+0.01mm≦t2≦t1+0.05mmであることを特徴とするシリコン系光導波路の製造方法。
IPC (8件)：
G02B 6/13 ,  B24B 27/06 ,  B24D 3/00 330 ,  B24D 3/28 ,  B24D 5/12 ,  B81C 1/00 ,  G02B 6/12 ,  H01L 21/301
FI (9件)：
B24B 27/06 L ,  B24D 3/00 330 G ,  B24D 3/28 ,  B24D 5/12 Z ,  B81C 1/00 ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N ,  H01L 21/78 F ,  H01L 21/78 Q
Fターム (21件)：
2H047KA15 ,  2H047QA02 ,  2H047QA03 ,  2H047QA04 ,  2H047TA31 ,  2H047TA44 ,  3C058AA03 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C063AA02 ,  3C063AB03 ,  3C063BB01 ,  3C063BB02 ,  3C063BB07 ,  3C063BB18 ,  3C063BC03 ,  3C063BG07 ,  3C063EE01 ,  3C063EE10 ,  3C063EE31 ,  3C063FF21
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM