特許
J-GLOBAL ID:200903090066683103
基板処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-373929
公開番号(公開出願番号):特開2003-174001
出願日: 2001年12月07日
公開日(公表日): 2003年06月20日
要約:
【要約】【課題】 処理効率の高い洗浄処理を行うことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】 基板Wはリフター20によって下降され、2本の回転ローラ30に渡される。回転ローラ30は、基板Wを保持して回転させる。基板Wを回転させつつ、温風ノズル80からの温風供給によって基板Wを加熱し、水蒸気ノズル50およびオゾンガスノズル60からそれぞれ水蒸気およびオゾンガスを基板Wに供給する。基板Wの表面においては、オゾンガスが分解して生成された水酸基ラジカルによってレジスト剥離処理が行われる。このときに、温風ノズル80からの温風供給によって基板Wを加熱するため、基板Wをレジスト剥離処理に適した温度にすることができ、処理効率の高い洗浄処理を行うことが出来る。
請求項(抜粋):
基板表面の処理を行う基板処理装置であって、基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にて基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段と、前記保持手段に保持された基板に水蒸気を供給して、当該基板の表面に水蒸気を凝縮させる水蒸気供給手段と、前記保持手段に保持された基板に温風を供給して、当該基板を加熱する温風供給手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/304 645
, H01L 21/304
, B08B 3/02
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/306
, C03C 23/00
FI (6件):
H01L 21/304 645 Z
, H01L 21/304 645 B
, B08B 3/02 C
, G02F 1/1333 500
, C03C 23/00 A
, H01L 21/306 J
Fターム (26件):
2H090HC18
, 2H090JA13
, 2H090JB02
, 2H090JC08
, 2H090JC19
, 3B201AA01
, 3B201AB23
, 3B201AB33
, 3B201AB47
, 3B201BB02
, 3B201BB11
, 3B201BB22
, 3B201BB82
, 3B201BB93
, 3B201BB98
, 3B201CC13
, 3B201CD11
, 3B201CD35
, 4G059AA08
, 4G059AB19
, 4G059AC30
, 5F043AA40
, 5F043BB27
, 5F043DD07
, 5F043EE40
, 5F043GG10
引用特許:
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