特許
J-GLOBAL ID:200903090085028574

光電変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-078658
公開番号(公開出願番号):特開平10-275923
出願日: 1997年03月31日
公開日(公表日): 1998年10月13日
要約:
【要約】【課題】 低コストで作製が容易で高効率な光電変換装置を提供すること。【解決手段】 基板1の一主面上に、金属層2、結晶酸化物層3、及びpn接合を有する複数層のシリコン半導体層7が順次積層されて成るとともに、金属層2とシリコン半導体層7とが結晶酸化物層3に接する状態で、金属シリサイド層Nを介して接続され、金属層2及びシリコン半導体層7の上部層から出力を取り出すようにした光電変換装置P。
請求項(抜粋):
基板の一主面上に、金属層、結晶酸化物層、及びpn接合を有する複数層のシリコン半導体層が順次積層されて成るとともに、前記金属層の一部と前記シリコン半導体層の下部層の一部とが金属シリサイド層を介して接続されて成り、前記金属層及び前記シリコン半導体層の上部層から出力を取り出すようにしたことを特徴とする光電変換装置。
引用特許:
審査官引用 (3件)

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