特許
J-GLOBAL ID：200903090154127210
エッチング方法及び該エッチング方法を用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-143523
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017795
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 Al系材料上に高融点金属系材料が積層され、又は更にAl系材料の下に下地高融点金属材料が形成された構造のエッチングの際、最上層材料のひさし形状や肩落ち、Al系材料の側壁荒れ等が生じず、寸法公差の少ない加工形状が容易に得られるエッチング方法及び半導体装置の製造方法の提供。【構成】 Al系材料3上に高融点金属系材料4が積層されて成る積層構造又は更に下地高融点金属系材料2を有する構造のエッチングの際、エッチングガスとして塩素系ガスを用いた第1エッチングIで高融点金属系材料4をエッチングし更にAl系材料3を途中までエッチングし、更にエッチングガスとしてCl系ガスとBr系ガスとの混合ガスを用いた第2エッチングIIでAl系材料3の残り(及び下地高融点金属系材料2が存在する場合該材料2)をエッチングする。
請求項（抜粋）：
Al系材料上に高融点金属系材料が積層されて成る積層構造のエッチング方法であって、エッチングガスとして塩素系ガスを用いた第1ステップのエッチングで前記高融点金属系材料をエッチングし更に前記Al系材料を途中までエッチングし、エッチングガスとして塩素系ガスと臭素系ガスとの混合ガスを用いた第2ステップのエッチングで前記Al系材料の残りをエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/3213
, H01L 21/3205
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 G
, H01L 21/88 D
, H01L 21/88 R
, H01L 21/88 N
