特許
J-GLOBAL ID:200903090173357219

無電解めっき装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 熊谷 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-327798
公開番号(公開出願番号):特開2002-129344
出願日: 2000年10月26日
公開日(公表日): 2002年05月09日
要約:
【要約】【課題】 めっき液の使用量を少なくでき、安定なめっきプロセスが維持でき、装置の小型化と低コスト化が図れ、膜厚の面内均一性が図れる無電解めっき装置を提供すること。【解決手段】 被めっき面を上向きにして半導体基板Wを保持する保持手段11と、保持手段11に保持された半導体基板Wの被めっき面の周囲をシールする堰部材31と、堰部材31でシールされた半導体基板Wの被めっき面に無電解めっき処理液を供給して溜めるシャワーヘッド41と、半導体基板Wの下側に設置される裏面ヒータ15(15-1,15-2)とを具備する。裏面ヒータ15と半導体基板Wの間に気体を満たす隙間(均一温度形成部17)を設ける。
請求項(抜粋):
被めっき面を上向きにして基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の被めっき面の周囲をシールするめっき液保持機構と、前記めっき液保持機構でシールされた基板の被めっき面に無電解めっき処理液を供給して溜める無電解めっき処理液供給手段と、前記基板の下側に設置される加熱手段とを具備し、前記加熱手段と基板の間に隙間を設けたことを特徴とする無電解めっき装置。
IPC (3件):
C23C 18/16 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205
FI (3件):
C23C 18/16 C ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 M
Fターム (28件):
4K022AA01 ,  4K022AA05 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA08 ,  4K022DA01 ,  4K022DB15 ,  4K022DB19 ,  4K022DB24 ,  4K022DB30 ,  4M104BB04 ,  4M104BB30 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33
引用特許:
審査官引用 (6件)
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