メモリ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-004150
公開番号（公開出願番号）：特開2002-328836
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】不揮発性メモリと揮発性メモリとの間のデータ転送を行う際に外部バスの占有を防止することを課題とする。【解決手段】本発明のメモリ装置は、データを記憶可能な不揮発性メモリ(105)と、ランダムアクセスが可能な揮発性メモリ(106)と、不揮発性メモリ及び揮発性メモリの間でデータ転送を行うことができ、該データ転送が行われていないときには外部バスからの指示に応じて外部から直接揮発性メモリへアクセスしているような擬似的アクセスを可能にするコントローラ(104)とを有する。

請求項（抜粋）：

データを記憶可能な不揮発性メモリと、ランダムアクセスが可能な揮発性メモリと、前記不揮発性メモリ及び前記揮発性メモリの間でデータ転送を行うことができ、該データ転送が行われていないときには外部バスからの指示に応じて外部から直接前記揮発性メモリへアクセスしているような擬似的アクセスを可能にするコントローラとを有するメモリ装置。

IPC (3件)：

G06F 12/06 525 , G06F 12/00 597 , G06F 12/16 320

FI (3件)：

G06F 12/06 525 C , G06F 12/00 597 U , G06F 12/16 320 F

Fターム (6件)：

5B018GA02 , 5B018HA14 , 5B018NA01 , 5B018NA06 , 5B018QA16 , 5B060CA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-122568 出願人：株式会社日立製作所
半導体記憶装置およびそれを用いたメモリシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-173852 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-199340

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