特許

J-GLOBAL ID：200903090193569522

薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法

発明者： 猪鼻 武司
出願人/特許権者： 多摩電気工業株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165110
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359152
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 絶縁基板上に作製された薄膜コンデンサにおいて、高周波信号が基板内を通過することによって生ずる寄生容量の影響を減少させ、高周波特性を向上させる。【解決手段】 絶縁基板をシリコンウェハとし、シリコン異方性エッチング技術を用いてコンデンサの下部に空洞を形成することによって、高周波信号が基板内を通過することを防止する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に絶縁膜を有し、該絶縁膜上に下部電極及び誘電膜並びに上部電極を形成した薄膜コンデンサであって、上記上下電極と上記誘電膜で形成したコンデンサ部の下部に上記絶縁膜を残して、上記絶縁基板に空洞部を設け、該絶縁膜の該コンデンサ部をダイアフラム構成と成したことを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/33 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

Fターム (8件)：

5E082BB05 ,  5E082EE05 ,  5E082FG03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 圧電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-137892   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 圧電・強誘電体薄膜デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-257292   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 電子部品用誘電体膜シート、その製造方法および誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290315   出願人：松下電器産業株式会社