特許

J-GLOBAL ID：200903090201488235

半導体装置

発明者： 大川 重明 ,  大古田 敏幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083781
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277532
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 大面積を要する拡張電極に起因する寄生容量の一端を高比抵抗にすることで、エレクトレットコンデンサマイク駆動用に好適な半導体装置を得る。【解決手段】 半導体基板21上にエピタキシャル層23を形成し、これを接合分離して島領域25を形成する。島領域25にNPNトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。接合型電界効果トランジスタのゲート電極に連続して、拡張電極44を形成する。拡張電極44の下部には、部分的に膜厚の厚い絶縁膜43を配置して、容量C1の値を減じる。これによって、拡張電極44から接地電位GNDへの信号の流出を防止する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、前記基板の上に形成したエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層を分離した島領域と、前記島領域の1つに形成した入力トランジスタと、前記半導体層の表面を被覆する絶縁膜と、前記入力トランジスタの入力端子に接続され前記絶縁膜の上に延在された拡張電極とを備え、前記拡張電極下部の前記エピタキシャル層の表面に、部分的に膜厚の厚い絶縁膜を配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 29/80 C ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 29/72

Fターム (30件)：

5F003BA11 ,  5F003BA97 ,  5F003BC01 ,  5F003BE01 ,  5F003BJ16 ,  5F003BJ18 ,  5F003BP04 ,  5F003BP21 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41 ,  5F003BP48 ,  5F082AA25 ,  5F082BA02 ,  5F082BC08 ,  5F082BC13 ,  5F082EA03 ,  5F082EA32 ,  5F082EA45 ,  5F082FA20 ,  5F102GA12 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GR08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC05 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高周波半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-136719   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-133953   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭58-197885
  
• 特開昭62-199050