特許

J-GLOBAL ID：200903090218532734

酸化物単結晶膜の製造方法

発明者： 高 木 隆 ,  藤 野 優
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-362758
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171689
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】 液相エピタキシャル法において、基板間の間隔を大きくすることなく、複数の基板上に均一な膜厚の酸化物単結晶膜を作製することができる、酸化物単結晶膜の製造方法を得る。【解決手段】 るつぼ12中に酸化物単結晶膜の成分を溶融した融液14を入れる。ホルダーに保持した複数の基板18,20を、基板18,20の中心部と異なる点を中心として回転させながら、過冷却状態にした融液14に接触させる。さらに、このような回転に加えて、基板18,20の中心部を中心として基板18,20を回転させてもよい。

請求項（抜粋）：

液相エピタキシャル法によって基板上に酸化物単結晶膜を形成する方法において、前記基板の中心部と異なる点を中心として前記基板を回転させながら、前記酸化物単結晶膜の成分を溶融した融液に前記基板を接触させることを特徴とする、酸化物単結晶膜の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 19/00 ,  C30B 29/28

FI (2件)：

C30B 19/00 Z ,  C30B 29/28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-200300
  
• 液相エピタキシャル成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-163488   出願人：株式会社村田製作所
• 結晶育成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-102764   出願人：株式会社島津製作所