特許
J-GLOBAL ID：200903090225979493

アルミニウム-窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法

発明者：
寧 暁山

寧 暁山 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 澤木 誠一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309521
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124585
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 従来のアルミニウム-窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法においては、窒化アルミニウムとアルミニウムとの間に未接欠陥が発生しやすく、また、窒化アルミニウムの表面に予め酸化物を形成しなければならないという欠点があった。【解決手段】 本発明のアルミニウム-窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法によれば、窒化アルミニウム基板の両面にAgを含むペースト状ろう材を形成し、その上に上記窒化アルミニウム基板を挟むようにAl板材を重ねて、真空中でろう接した後、湿式エッチング法により所望形状のAl回路及びベース板を形成し、更に、Al部分の全面または一部にNiめっき層を形成する。上記ペースト状ろう材としては、銀20重量%以上を含むAg-Al系ペースト状ろう材、銀単体及び銀合金ペースト状ろう材、Ti、Mg、Si、Zn、Sn、Cuを1〜10重量%含むAl-Ag合金系ペースト状ろう材、または、Ti、Al、Mg、Si、Zn、Sn、Cuを含む銀合金系ペースト状ろう材を使用する。
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウム基板の両面にAgを含むペースト状ろう材を形成し、このようにした窒化アルミニウム基板を挟むようにこれにAl板材を重ねて、真空中でろう接した後、湿式エッチング法により所望形状のAl回路及びベース板を形成し、更に、Al板材の全面または一部にNiめっき層を形成することを特徴とするアルミニウム-窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法。
IPC (8件)：
H05K 3/24 ,  B32B 18/00 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/14 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/38
FI (8件)：
H05K 3/24 A ,  B32B 18/00 D ,  C04B 37/02 B ,  H05K 1/03 610 E ,  H05K 1/09 A ,  H05K 3/06 A ,  H05K 3/38 C ,  H01L 23/14 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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