特許
J-GLOBAL ID：200903070237263018

セラミックス回路基板

発明者：
那波 隆之

那波 隆之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-185842
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036540
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】繰り返しの冷熱サイクルを長時間付加した後においてもクラックの発生が効果的に抑制される、いわゆる耐熱サイクル性に優れた信頼性が高いセラミックス回路基板を提供する。【解決手段】Ti,Zr,Hf,V,NbおよびTaから選択される少なくとも1種の活性金属を含有する銀-銅系ろう材層5を介して窒化物系セラミックス基板2と金属回路板3とを接合して成り、銀-銅系ろう材層5と窒化物系セラミックス基板2とが反応して生成される反応生成層6のビッカース硬度が1100以上であることを特徴とする。また銀-銅系ろう材層5に、さらにIn,Zn,CdおよびSnから選択される少なくとも1種の元素を含有させるとよい。
請求項（抜粋）：
Ti,Zr,Hf,V,NbおよびTaから選択される少なくとも1種の活性金属を含有する銀-銅系ろう材層を介して窒化物系セラミックス基板と金属回路板とを接合して成り、上記銀-銅系ろう材層と窒化物系セラミックス基板とが反応して生成される反応生成層のビッカース硬度が1100以上であることを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (5件)：
H05K 3/38 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/09 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/20
FI (5件)：
H05K 3/38 C ,  C04B 37/02 B ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/20 Z ,  H01L 23/14 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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