特許

J-GLOBAL ID：200903090290640711

高周波受動素子およびその製造方法

発明者： 李 相錫 ,  西野 有 ,  吉田 幸久 ,  宮崎 守泰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-232862
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065042
出願日： 2007年09月07日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】良好な特性を実現し、かつ小型化を図ることが可能な高周波受動素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】高周波受動素子101は、第1の凹部9が主表面に形成された基板1と、第1の凹部9の底面に形成され、かつ上面が基板1の主表面と略平行になるように形成された第1巻き線導体2と、第1巻き線導体2および基板1の主表面上に平坦に形成された絶縁膜3と、絶縁膜3上に形成された第2巻き線導体4とを備える。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

第1の凹部が主表面に形成された基板と、 前記第1の凹部の底面に形成され、かつ上面が前記基板の前記主表面と略平行になるように形成された第1巻き線導体と、 前記第1巻き線導体および前記基板の前記主表面上に平坦に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された第2巻き線導体とを備える高周波受動素子。

IPC (7件)：

H01F 17/00 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  B81B 1/00 ,  B81C 1/00 ,  H01F 41/04 ,  H01F 41/34

FI (6件)：

H01F17/00 B ,  H01L27/04 L ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  H01F41/04 C ,  H01F41/34

Fターム (23件)：

3C081AA11 ,  3C081AA18 ,  3C081BA04 ,  3C081BA22 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081CA28 ,  3C081CA30 ,  3C081EA21 ,  5E049GC01 ,  5E062DD01 ,  5E070AA01 ,  5E070CB03 ,  5E070CB12 ,  5F038AZ04 ,  5F038AZ09 ,  5F038CA02 ,  5F038CD12 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体基板の上に浮動している3次元金属素子、その回路モデル、及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-578578   出願人：コリアアドヴァンストインスティテュートオブサイエンスアンドテクノロジー
• 高周波インダクタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-158614   出願人：三菱電機株式会社