特許

J-GLOBAL ID：200903090292188999

パルスCVDとALDの併用による薄膜の堆積方法

発明者： メンソ ヘンドリックス ,  マーティン クナップ ,  スヴィ ペー.ハッカ
出願人/特許権者： エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.
代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-162014
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004786
出願日： 2008年06月20日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】ALDモードとCVDモードの利点を組み合わせる方法を提供すること。【解決手段】原子層堆積法(ALD)により1つの層を堆積し、パルス化学気相堆積法(CVD)により別の層を堆積する。ALD部分では、反応物の逐次的かつ交互のパルスを流す。パルスCVD部分では、2つのCVD反応物を流す。少なくとも第1のCVD反応物はパルスとして流され、このパルスは第2のCVD反応物のフローと少なくとも部分的にオーバーラップする。本発明により、例えばナノラミネート膜を形成することができる。好ましくは、第1CVD反応物より長い合計持続時間の間、第2CVD反応物を反応チャンバへ流すことによって高品質の層が形成される。いくつかの実施形態では、第3反応物のパルスは、パルスの長さの少なくとも約1.75倍の持続時間によって分離されている。好ましくは、第1CVD反応物1パルス当たり約8分子層未満の材料が堆積される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応チャンバにおいて基板上に多成分系薄膜を堆積する方法であって、 期間A中に、逐次的かつ交互のパルスで前記反応チャンバの中へ第1および第2反応物を流すことによって、前記基板上に前記膜の第1成分を堆積すること(前記第1および第2反応物が前記基板上に自己制御的に堆積する)、 期間B中に、前記反応チャンバの中へ第3反応物を流しつつ、同時に前記反応チャンバの中へ第4反応物を流すことによって、前記膜の第2成分を堆積すること(ここで、前記第3および第4反応物は相互に反応性があり、前記期間B中の前記第4反応物への前記基板の暴露時間の合計が、前記期間B中の前記第3反応物への前記基板の暴露時間の合計より長い) を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 C ,  C23C16/44 A

Fターム (30件)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA41 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BD02 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-172438   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-084052   出願人：東京エレクトロン株式会社