特許

J-GLOBAL ID：200903038320134628

成膜方法

発明者： 神力 博 ,  鈴木 幹夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-172438
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011904
出願日： 2003年06月17日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】ステップカバレッジの優れた高品質な膜を、効率よく形成する。【解決手段】初めにALD法により第1の膜を形成し、その後でMOCVD法により第2の膜を形成する。その際、ALD法とMOCVD法とを連続して、同一の成膜装置中において、途中で大気に露出することなく、実質的に同一の基板温度で実行する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

処理容器中に被処理基板を導入する工程と、 前記処理容器中に少なくとも第1および第2の処理ガスを、交互に、間にパージ工程を介在させながら導入し、前記被処理基板表面に第1の膜を形成する工程と、 前記第1の膜を形成する工程の後、前記処理容器中に複数の原料ガスを同時に導入し、前記第1の膜上に第2の膜を形成する工程とよりなり、 前記第2の膜を形成する工程は、前記第1の膜を形成する工程の後、前記被処理基板を大気に曝露することなく、連続して、前記第1の膜を形成する工程の基板温度と実質的に同じ基板温度において実行されることを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L21/316 M ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 651

Fターム (25件)：

5F058BA09 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF06 ,  5F058BF80 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体界面被膜およびその方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-535166   出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
• 基板処理装置および処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-244730   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス
• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-202062   出願人：株式会社日立製作所