特許
J-GLOBAL ID：200903090310528549

露光マスクの補正方法、及び露光管理方法

発明者：
小澤 謙

小澤 謙 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329612
公開番号（公開出願番号）：特開2004-163670
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】マイクロフレアによる転写パターンの寸法ばらつきを低減する。【解決手段】感応基板上に転写パターンを形成する際に用いられる露光マスクの補正方法であって、マスク面内を複数の単位セルに分割するとともに、着目セルごとにフレアに対する実効的なパターン面積率を算出する第1の工程(S1〜S6)と、複数のパターン種ごとに実効的なパターン面積率に対する転写パターンの寸法変動率を求めるとともに、着目セルに含まれるマスクパターンごとに、第1の工程で算出した実効的なパターン面積率と転写パターンの寸法変動率とを用いて、フレアによる転写パターンの寸法変動量を算出する第2の工程と、この第2の工程で算出した転写パターンの寸法変動量に基づいて、着目セルに含まれるマスクパターンごとに当該マスクパターンの寸法補正量を算出する第3の工程とを有する。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
感応基板上に転写パターンを形成する際に用いられる露光マスクの補正方法であって、 マスク面内を複数の単位セルに分割するとともに、着目セルごとにフレアに対する実効的なパターン面積率を算出する第1の工程と、 複数のパターン種ごとに前記実効的なパターン面積率に対する転写パターンの寸法変動率を求めるとともに、前記着目セルに含まれるマスクパターンごとに、前記第1の工程で算出した前記実効的なパターン面積率と前記転写パターンの寸法変動率とを用いて、フレアによる転写パターンの寸法変動量を算出する第2の工程と、 前記第2の工程で算出した前記転写パターンの寸法変動量に基づいて、前記着目セルに含まれるマスクパターンごとに当該マスクパターンの寸法補正量を算出する第3の工程と を有することを特徴とする露光マスクの補正方法。
IPC (2件)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 502G
Fターム (6件)：
2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB31 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046DA06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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