特許
J-GLOBAL ID:200903090333416594

液晶の配向処理方法、液晶素子の製造方法、及び液晶素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 豊田 善雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-035754
公開番号(公開出願番号):特開平8-271903
出願日: 1996年01月31日
公開日(公表日): 1996年10月18日
要約:
【要約】【課題】 高コントラストであり、応答速度が早く、高精細、高輝度、大面積の液晶素子を得る。【解決手段】 配向制御層を有する一対の電極基板間に挟持されたカイラルスメクチック液晶に対し、アイソトロピック相及びスメクチック相が混在する温度範囲と、スメクチック相を呈する温度範囲との間で、温度サイクル処理を施す。【効果】 ブックシェルフ構造あるいはそれに近い層傾きの小さな構造の液晶層を安定してとり、且つ欠陥の無い優れた配向状態を得ることができる。
請求項(抜粋):
少なくとも一方が配向制御層を有する一対の電極基板間に挟持された降温下でアイソトロピック相、スメクチック相の順で相転移をするカイラルスメクチック液晶の配向処理方法であって、該液晶に対し、アイソトロピック相及びスメクチック相が混在する温度範囲と、スメクチック相を呈する温度範囲との間で、温度サイクル処理を施すことを特徴とする液晶の配向処理方法。
IPC (4件):
G02F 1/1337 510 ,  C09K 19/20 ,  C09K 19/22 ,  C09K 19/34
FI (4件):
G02F 1/1337 510 ,  C09K 19/20 ,  C09K 19/22 ,  C09K 19/34
引用特許:
出願人引用 (7件)
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