特許

J-GLOBAL ID：200903090336630635

半導体装置の製造方法

発明者： 橋本 耕治 ,  川野 健二 ,  井上 壮一 ,  田中 聡 ,  浅野 昌史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-338716
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153373
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

【課題】半導体リソグラフィ工程における2回現像プロセスにおいて、複雑なプロセスの追加を必要とせずに所望の特性が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に被加工膜を形成する工程と、前記被加工膜の上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に露光ビームを照射して第1のパターンを露光する第1の露光工程と、前記第1の露光工程の後に前記レジスト膜にネガ型あるいはポジ型のいずれかの現像を行う第1の現像工程と、前記第1の現像工程の後に前記レジスト膜に露光ビームをさらに照射して第2のパターンを露光する第2の露光工程と、前記第2の露光工程の後に前記レジスト膜にネガ型あるいはポジ型のいずれかの前記第1の現像工程とは異なる現像を行う第2の現像工程とを含む。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

半導体基板上に被加工膜を形成する工程と、 前記被加工膜の上にレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に露光ビームを照射して第1のパターンを露光する第1の露光工程と、 前記第1の露光工程の後に前記レジスト膜にネガ型あるいはポジ型のいずれかの現像を行う第1の現像工程と、 前記第1の現像工程の後に前記レジスト膜に露光ビームをさらに照射して第2のパターンを露光する第2の露光工程と、 前記第2の露光工程の後に前記レジスト膜にネガ型あるいはポジ型のいずれかの前記第1の現像工程とは異なる現像を行う第2の現像工程とを含む ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (2件)：

H01L21/30 570 ,  G03F7/20 521

Fターム (2件)：

5F046AA13 ,  5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (4件)

• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-027765   出願人：株式会社東芝
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-294981   出願人：株式会社東芝
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-052949   出願人：株式会社東芝
• パタ-ン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-001907   出願人：株式会社東芝