レジストパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009578
公開番号（公開出願番号）：特開平7-092694
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】化学増幅レジストを用いて良好な断面形状を有し、線幅制御性の高いレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】半導体基板上に化学増幅レジストを用いてレジストパターンを形成する際に、化学増幅レジストを半導体基板上に塗布する前に、上記化学増幅レジスト内に露光時に発生する酸に対して不活性となる不活性化処理と疎水化処理とを行う。

請求項（抜粋）：

レジスト塗布面に光酸発生剤を含む化学増幅レジストを塗布、露光、現像して所定のレジストパターンを得るレジストパターン形成方法において、上記塗布前に、上記レジスト塗布面が上記化学増幅レジスト内に光照射で発生する酸に対し反応しない不活性層を形成する不活性化処理と疎水化処理とを行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/38 501 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-221814
特開平4-338959
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-235134 出願人：株式会社東芝

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