特許
J-GLOBAL ID：200903090372095487
半導体薄膜磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308695
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148650
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 優れた出力感度特性と高温耐久性を有するInSbエピタキシャル成長薄膜をSi基板上に形成した構成を有する半導体薄膜磁気抵抗素子においては、Si基板に導電性があり、構成上InSb薄膜〜Si基板間の接合障壁高さと電極材料〜Si基板間の障壁高さのアンバランスにより、抵抗値に極性差を生じる。本発明は、この抵抗値の極性差を低減することを主たる目的とする。【解決手段】 Si基板1の上に形成したInSb薄膜2の上に多数の短絡電極3を形成し、さらにこれに外部への取り出し電極端子4,5を接続した構成の半導体薄膜磁気抵抗素子6が回転中心7を基準として180°回転対称な構造を有する。
請求項（抜粋）：
Si基板上に多数の短絡電極で挟まれたInSb薄膜抵抗体を多数直列に接続し、その両端に外部への取り出し電極端子部を有するInSb薄膜磁気抵抗素子がその回転中心を基準としてほぼ180°回転対称な構成を有することを特徴とする半導体薄膜磁気抵抗素子。
引用特許：
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