特許
J-GLOBAL ID：200903090420830941
化合物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370375
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136162
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】化合物半導体電子素子において、急峻なドーピング界面を持つ、高い信頼性を有した素子を、再現性、均一性良く作製する方法を提供すること。 【解決手段】化合物半導体ヘテロバイポーラトランジスタ素子構造の結晶成長において、コレクタ層/エミッタ層/ベース層界面におけるメモリー効果によるドーピング遅れを抑制するために、少なくともAlを含んだ化合物半導体で界面を形成し、急峻なアクセプター不純物ドーピング界面を実現する。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にn型の第1の化合物半導体層を形成する工程と、
前記第1の化合物半導体層上に、バンドギャップエネルギーが前記第1の化合物半導体層以下であるp型の第2の化合物半導体層を形成する工程と、
前記第2の化合物半導体層の上に、バンドギャップエネルギーが前記第2の化合物半導体層以上であるn型の第3の化合物半導体を形成する工程を備えた化合物半導体素子であって、
前記第1の化合物半導体層の一部もしくは全部と第2の化合物半導体層の一部もしくは全部にAlを含み、Alを含む領域でp型アクセプター不純物のドーピングを開始することを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/331
, H01L29/737
, H01L33/00
, H01S5/323
H01L29/72 H
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
5F003AZ03
, 5F003BA92
, 5F003BB01
, 5F003BB04
, 5F003BF06
, 5F003BG06
, 5F003BM03
, 5F003BP31
, 5F003BP32
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F073CA07
, 5F073CB12
, 5F073DA05
