特許
J-GLOBAL ID：200903090436562246

集束イオンビーム加工方法及び装置

発明者：
藤井 利昭

藤井 利昭 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-239396
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162973
出願日： 1997年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】積層構造を構成する各層が極めて薄いとき、その断面構造を観察することが困難になっている。【解決手段】試料断面観察の前処理としての断面加工を行う際、イオンビームの入射角に対し、試料を第一の角度に傾斜して加工を行い、加工終了後、試料を第二の角度に傾斜して観察する。
請求項（抜粋）：
試料表面が集束イオンビームの照射軸に対して直角になるように載置された試料の観察加工位置を求める工程と、試料を傾ける工程と、集束イオンビームを走査照射し、再度試料表面像を観察する工程と、前記画像において、観察したい構造のある部分を指定する工程と、観察したい工程の大凡の深さを指示する工程と、集束イオンビーム照射領域(加工枠)を決定する工程と、集束イオンビームを走査照射し加工する工程と、加工形状を確認しながら、順次、深さを大きな値にすることにより所望の箇所を求める工程と、試料の加工断面に対し、イオンビームが垂直かそれに近い角度になるように傾斜し、加工断面を観察する工程と、からなることを特徴とする集束イオンビーム加工方法。
IPC (4件)：
H01J 37/317 ,  G01N 1/28 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/305
FI (4件)：
H01J 37/317 D ,  H01J 37/20 A ,  H01J 37/305 A ,  G01N 1/28 G
Fターム (10件)：
2G052CA07 ,  2G052DA33 ,  2G052EC14 ,  2G052EC18 ,  2G052GA18 ,  5C001AA03 ,  5C001AA04 ,  5C001AA05 ,  5C001CC08 ,  5C034BB06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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