特許
J-GLOBAL ID:200903090453446373
無機化合物薄膜および無機化合物薄膜の成膜方法、ディスク状基体、磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法、磁気ディスク装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉浦 康昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-161999
公開番号(公開出願番号):特開2000-348333
出願日: 1999年06月09日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】ディスク基板上に、所望の凹凸を形成すること、磁性膜における結晶粒子サイズの分散を抑制し、かつ、微細化してノイズの発生を小さくすること、結晶粒子サイズの分散を抑制して低ノイズ、低熱揺らぎ、ならびに低熱減磁とすること、さらに磁性膜の配向性を制御して微小磁区の形成を容易にするとともに、この磁区を安定に存在させて40GB/inch2を超える超高密度磁気記録媒体を提供する。【解決手段】結晶質粒子と、それを取り囲む非晶質物質から構成され、該結晶質粒子は正六角形であり、かつ、二次元的に規則的に配列し、しかもハニカム構造である無機化合物薄膜2において、該無機化合物薄膜2の平坦性が、該無機化合物薄膜2表面の凸部からその凸部に最も近い凸部までの平行方向の距離と、該無機化合物薄膜2表面の凸部からその凸部に最も近い凹部までの垂直方向の距離とが、20nm以下とする。
請求項(抜粋):
少なくとも結晶質粒子と、それを取り囲むように存在している非晶質物質から構成され、該結晶質粒子の形態は正六角形であり、かつ、その粒子が二次元的に規則的に配列し、しかも、その構造がハニカム構造である無機化合物薄膜において、該無機化合物薄膜の平坦性が、該無機化合物薄膜表面の凸部からその凸部に最も近い凸部までの平行方向の距離と、該無機化合物薄膜表面の凸部からその凸部に最も近い凹部までの垂直方向の距離とが、20nm以下であることを特徴とする無機化合物薄膜。
IPC (6件):
G11B 5/738
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, C23C 14/35
, G11B 5/64
, G11B 5/851
FI (6件):
G11B 5/738
, C23C 14/08 K
, C23C 14/34 U
, C23C 14/35 F
, G11B 5/64
, G11B 5/851
Fターム (32件):
4K029AA09
, 4K029AA21
, 4K029BA50
, 4K029BB07
, 4K029BB10
, 4K029BD11
, 4K029CA05
, 4K029CA13
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC16
, 4K029DC48
, 5D006BB01
, 5D006BB02
, 5D006BB07
, 5D006CA01
, 5D006CA05
, 5D006CB04
, 5D006CB08
, 5D006DA03
, 5D006FA09
, 5D112AA03
, 5D112AA05
, 5D112AA11
, 5D112AA24
, 5D112BA03
, 5D112BA05
, 5D112BA06
, 5D112BB05
, 5D112BD03
, 5D112FA04
, 5D112FB13
引用特許:
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