特許
J-GLOBAL ID：200903090486556573

脱ハロゲン化物の製造方法

発明者：
柳田 祥三

柳田 祥三 について

, 
和田 雄二

和田 雄二 について


出願人/特許権者：
大阪大学長

大阪大学長 について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309968
公開番号（公開出願番号）：特開2000-136151
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 新規な光触媒及び還元力の優れた光触媒を提供し、ハロゲン化物を最終的に燃焼処理になんら支障のない有機化合物まで導くのに十分な、光還元反応を誘導する。【解決手段】 本発明では、ハロゲン化物から脱ハロゲン化物を得るにあたり、前記ハロゲン化物と、光触媒としての、ポリパラフェニレン等の有機化合物半導体、硫化カドミウム以外の金属硫化物又は1nm〜30nmの平均粒径を有するナノサイズ微粒子の化合物半導体と、電子源とに光を照射することによって、前記ハロゲン化物を脱ハロゲン化し、前記ハロゲン化物を水素化する。また、本発明では、電子源として有機アミンを用いれば、有機化合物半導体、無機化合物半導体、硫化カドミウムを含む金属硫化物等の化合物半導体を粒径サイズに関わらず光触媒として用いることができる。
請求項（抜粋）：
ハロゲン化物から脱ハロゲン化物を得るにあたり、前記ハロゲン化物と、光触媒としての有機化合物半導体と、電子源とに光を照射することによって、前記ハロゲン化物を脱ハロゲン化し、前記ハロゲン化物を水素化することを特徴とする、脱ハロゲン化物の製造方法。
IPC (8件)：
C07B 35/06 ,  A62D 3/00 ZAB ,  B01J 19/00 ,  B01J 27/04 ,  B01J 31/06 ,  B01J 35/02 ,  C07B 61/00 ,  C07B 61/00 300
FI (9件)：
C07B 35/06 ,  A62D 3/00 ZAB ,  B01J 19/00 Z ,  B01J 27/04 Z ,  B01J 31/06 Z ,  B01J 35/02 J ,  B01J 35/02 H ,  C07B 61/00 D ,  C07B 61/00 300
Fターム (34件)：
2E191BA12 ,  2E191BC01 ,  2E191BD13 ,  2E191BD17 ,  4G069AA02 ,  4G069BA22A ,  4G069BA22B ,  4G069BA48A ,  4G069BB09A ,  4G069BB09B ,  4G069BC35B ,  4G069BE02A ,  4G069BE02B ,  4G069BE14A ,  4G069BE21A ,  4G069BE37A ,  4G069BE37B ,  4G069BE38A ,  4G069CB02 ,  4G069CB66 ,  4G069DA05 ,  4G069EB18Y ,  4G069EB19 ,  4G069ED10 ,  4G075AA13 ,  4G075BA05 ,  4G075CA33 ,  4H006AA02 ,  4H006AC13 ,  4H006BA95 ,  4H006BJ50 ,  4H006FC50 ,  4H039CA20 ,  4H039CG20
引用特許：
審査官引用 (9件)
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