半導体製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185454
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031639
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】サイドダミー用ウェーハに代えて耐ガスクリーニングの材質からなるダミー板をボートに設けることによって、サイドダミー用ウェーハの投入・交換作業をなくし、スループットの向上を図る。【解決手段】半導体製造装置のボート9の上下にサイドダミー用ウェーハに代えて、ウェーハの形状をした石英製のダミー板23を設ける。ダミー板23は、材質を石英とすることにより、堆積した反応生成物をガスクリーニングにより除去することが可能となり、ガスクリーニングによる損傷を最低限に抑えることができる。また、ウェーハの形状をしていることにより、サイドダミー用ウェーハと同様な保温機能とガス整流機能とを有する。

請求項（抜粋）：

保温確保とガス整流のためのダミー用ウェーハを、プロセス用のウェーハとともにボートにセットした状態でプロセス用ウェーハに成膜し、上記ウェーハ以外に堆積する反応生成物をクリーニングで除去するようにした半導体製造装置において、上記ダミー用ウェーハに代えて、ダミー用ウェーハと同等の機能を有し、かつ上記クリーニングによるダメージの小さな材質からなるダミー板を設けて、上記ダミー板に堆積する反応生成物を上記クリーニングで除去できるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , C30B 35/00 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/02 B , C30B 35/00 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-061331
半導体ウェーハ支持装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-104276 出願人：住友シチックス株式会社
ダミーウェハー
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-171172 出願人：イビデン株式会社

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