特許

J-GLOBAL ID：200903090552958289

半導体装置及びその製造方法

発明者： 東 光敏 ,  坂口 秀明 ,  今井 一成 ,  経塚 正宏 ,  清水 満晴
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234380
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200804
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤを用いて形成した緩衝性を有する外部接続端子を備えた半導体装置で、実装時の熱応力等を好適に緩和することができ、また、実装時の配線間の電気的短絡や配線間のマイグレーションを防止して確実な実装が可能な製品として提供する。【解決手段】 半導体素子10の電極端子形成面に形成された電極端子14と電気的に接続されて形成された再配線部18に、ワイヤ12aにより形成された外部接続端子12が立設された半導体装置において、前記電極端子形成面が電気的絶縁性を有する絶縁樹脂30によって被覆されているとともに、前記外部接続端子12の先端部が前記絶縁樹脂30から露出している。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極端子形成面に形成された電極端子と電気的に接続されて形成された再配線部に、ワイヤにより形成された外部接続端子が立設された半導体装置において、前記電極端子形成面が電気的絶縁性を有する絶縁樹脂によって被覆されているとともに、前記外部接続端子の先端部が前記絶縁樹脂から露出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイス上へのばね要素の取り付け、及びウエハレベルのテストを行う方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-516323   出願人：フォームファクター,インコーポレイテッド
• 相互接続のためのコンタクト構造、介在体、半導体アセンブリおよび方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-514639   出願人：フォームファクター・インコーポレイテッド