特許
J-GLOBAL ID：200903090562356910
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-118490
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327601
出願日： 2003年04月23日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】コンタクトホール内に電極をより適切に形成することのできる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】図1(a)に示すように、炭化珪素からなる半導体基板1に、絶縁膜2を形成する。更に、絶縁膜にコンタクトホール3を開口することで、半導体基板1の上面の一部を露出させる。そして、半導体基板1の上方にニッケル(Ni)4′を成膜する。続いて、図1(b)に示すように、半導体基板1に熱処理を施す。これにより、ニッケル4′のうち、半導体基板1と接触している部分が炭化珪素とニッケルとの化合物である合金層4となる。更に、図1(c)に示すように、ニッケルを溶解させるエッチング液によって絶縁膜2上のニッケル4′を選択的に除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる半導体基板上の絶縁膜を開口するコンタクトホール内に電極を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記コンタクトホールの形成された半導体基板の上方にニッケルを含有する金属を成膜する工程と、
前記半導体基板に熱処理を施すことで前記金属を成膜する工程によって前記コンタクトホール内に成膜された金属と同コンタクトホールの下方の半導体基板の表面とを化合させる工程と、
前記金属を成膜する工程によって前記絶縁膜上に成膜された金属を該金属を溶解させるエッチング液によって除去する工程とを有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/28
, H01L21/336
, H01L29/78
H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
, H01L29/78 652L
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658F
4M104AA03
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104CC01
, 4M104DD02
, 4M104DD06
, 4M104DD22
, 4M104DD64
, 4M104DD78
, 4M104DD79
, 4M104DD83
, 4M104DD88
, 4M104GG09
, 4M104GG18
, 4M104HH20
