特許
J-GLOBAL ID：200903032976095612
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146993
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069497
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 コバルトシリサイドを用いたサリサイドプロセスにより製造する半導体装置において、低抵抗で、かつ配線間ショート不良のない、コバルトシリサイド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板(101)上にフィールド絶縁膜(103)(106)により絶縁領域を形成する工程と、前記シリコン基板(101)を加熱しながらコバルト膜(111)を堆積し、真空を破ることなく真空室内で前記シリコン基板(101)を加熱することで、前記コバルト膜(111)とシリコン基板を反応させて選択的にCo2 Si膜を形成する工程と、第1の熱処理を行ってCoSi膜(112)を形成する工程と、未反応のCo(111)を除去する工程と、第1の熱処理に比べて、高温で第2の熱処理を行ってCoSi2 膜を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に選択的に形成される絶縁膜間に高融点金属シリサイド層を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板を加熱しながら高融点金属を堆積する工程と、未反応の前記高融点金属を除去する工程と、熱処理を行って高融点金属シリサイド層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/78
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/285 301 T
, H01L 21/88 Q
, H01L 27/08 321 F
, H01L 29/78 301 X
