特許
J-GLOBAL ID：200903090576914320
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209657
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066200
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、層間絶縁膜の平坦化を図りつつ、予め与えられた位置合わせマークを更新しながら多層配線を形成する。【構成】 基板11上の絶縁性の膜12を開口して所定の下層配線上にコンタクトホール13を形成する工程と、前記コンタクトホール13が設けられた基板11上に金属性の材料14を形成する工程と、前記コンタクトホール13以外の金属性の材料14を除去する工程と、前記基板11に位置合わせ用の開口部16を形成する工程と、前記位置合わせ用の開口部16が設けられた基板11上に上層配線を形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板(11)上の絶縁性の膜(12)を開口して所定の下層配線上にコンタクトホール(13)を形成する工程と、前記コンタクトホール(13)が設けられた基板(11)上に金属性の材料(14)を形成する工程と、前記コンタクトホール(13)以外の金属性の材料(14)を除去する工程と、前記基板(11)に位置合わせ用の開口部(16)を形成する工程と、前記位置合わせ用の開口部(16)が設けられた基板(11)上に上層配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/027
H01L 21/88 K
, H01L 21/30 502 M
, H01L 21/88 Z
