特許

J-GLOBAL ID：200903090580852798

SiC単結晶の製造方法及び製造装置

発明者： 二ッ山 幸樹
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-200162
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043211
出願日： 2002年07月09日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】高品質を保って連続的にSiC単結晶を成長させることができるSiC単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】ガス導入管13を通して原料ガス(SiH4とC3H8)をルツボ4内に導入してSiC種結晶10からSiC単結晶20を成長させる。この際に、X線発生装置16とイメージ管17を用いて、成長中に成長結晶20に発生する欠陥Dを観察する。その後、原料ガスの導入を停止するとともにガス導入管13を通してエッチングガスをルツボ4内に導入して、観察した欠陥Dの発生以前まで成長結晶20を成長環境下でエッチングする。その後に、続けて成長を行う。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

SiC種結晶(10)からSiC単結晶(20)を成長させるSiC単結晶の製造方法において、 成長中に成長結晶(20)に発生する欠陥(D)を観察する第1工程と、 第1工程で観察した欠陥(D)の発生以前まで成長結晶(20)を成長環境下でエッチングする第2工程と、 第2工程の後、続けて成長を行う第3工程と、 を少なくとも有することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (14件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EA01 ,  4G077EG29 ,  4G077EG30 ,  4G077EH10 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB13 ,  4G077TG14 ,  4G077TJ16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-343664   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭61-158888
  
• 種結晶とそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶体および単結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-171134   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭61-158888
  

引用文献：

審査官引用 (2件)

• シリコン結晶欠陥の基礎物性とその評価方法, 19970530, p.37、p.57
• シリコン結晶欠陥の基礎物性とその評価方法, 19970530, p.37、p.57