特許

J-GLOBAL ID：200903090581594504

成膜装置

発明者： 唐沢 泰彦 ,  林 茂雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125878
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319782
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：

【要約】【課題】 従来の方法よりも成膜時間を大幅に短縮することが可能で、しかも、素子ごとに膜厚を制御して、素子間の特性のばらつきを抑制することが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】 成膜室1内にセットされたマザー基板3上の、薄膜を形成すべき複数の薄膜形成部3aに薄膜を形成するための成膜装置において、各薄膜形成部3aごとに、任意の膜厚の薄膜を形成することができるように、各薄膜形成部3aごとに独立して動作し、各薄膜形成部3aを成膜源2からの薄膜原料粒子に対して露出させ又は遮蔽する開閉機構30を備えた構成とすることにより、複数の薄膜形成部3aに同時に成膜するとともに、各薄膜形成部3aごとに所望の膜厚の薄膜を形成できるようにする。

請求項（抜粋）：

成膜源から薄膜原料粒子を発生させ、成膜室内にセットされたマザー基板又は複数の基板上の、薄膜を形成すべき所定の位置(複数の薄膜形成部)に、同時に薄膜を形成する装置であって、前記複数の薄膜形成部の各薄膜形成部ごとに任意の膜厚の薄膜を形成することができるように、各薄膜形成部ごとに独立して動作し、各薄膜形成部を成膜源からの薄膜原料粒子に対して露出させ又は遮蔽する開閉機構を備えていることを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 14/56 ,  C23C 14/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/56 J ,  C23C 14/04 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S

Fターム (19件)：

4K029BB03 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA12 ,  4K029DB00 ,  4K029DC00 ,  4K029EA01 ,  4K029HA01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39 ,  4M104HH20 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB16 ,  5F103BB53 ,  5F103BB58 ,  5F103RR05 ,  5F103RR08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-204373
  
• 特開平2-233587
  
• 真空蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202306   出願人：株式会社島津製作所
• 誘電体多層膜の成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-285978   出願人：昭和オプトロニクス株式会社