特許

J-GLOBAL ID：200903090644879318

半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置ならびにウェ-ハ支持治具及び出入れ治具

発明者： 高木 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社エフティーエル
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008378
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208425
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 従来の縦型ホットウォール加熱炉を使用するLP-CVD法よりも高速膜成長を行う。【解決手段】 (1)ウェーハ間隔:約5mm以上、(2)ウェーハの回転、(3)反応ガスの送入・排気:管体10に設けた孔部17より反応ガスを各ウェーハ間隙に噴出し、かつ吸引は管体20に形成した吸気孔21により反応ガスをウェーハ間隙から吸引する。

請求項（抜粋）：

反応管を内装した加熱炉内の該反応管内に形成された均熱空間内に複数枚相互に並列に横置きされた半導体シリコンウェーハに化学気相成長法あるいは直接反応法により皮膜を形成する際に反応ガスを各半導体シリコンウェーハ間の間隙に送入する半導体装置の製造方法において、相互の間隔を約5mm以上に設定された2枚以上の半導体シリコンウェーハをウェーハ面と直交する軸を中心として回転させ、前記半導体シリコンウェーハ間の間隙に送入する反応ガスの実質的に全量を該半導体シリコンウェーハの端縁近傍の第1の位置から噴出することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 R ,  H01L 21/22 511 G ,  H01L 21/31 B

Fターム (13件)：

5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045BB01 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF13 ,  5F045EF20 ,  5F045EM02 ,  5F045EM08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウエハーのプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081392   出願人：東京エレクトロン東北株式会社
• 熱処理炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-131234   出願人：新日本製鐵株式会社
• 減圧気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-331472   出願人：日本電気株式会社
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067047   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社