特許

J-GLOBAL ID：200903090649191330

トランス体のエチレン誘導体の製造方法、このトランス体のエチレン誘導体の製造方法によって製造されるエチレン誘導体、及びトランス体のエチレン誘導体の製造装置。

発明者： 伊藤 直次 ,  佐藤 剛史 ,  伊藤 智志
出願人/特許権者： 国立大学法人宇都宮大学
代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-091718
公開番号（公開出願番号）：特開2008-247817
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】簡便、高速、経済性が高く、環境に対する負荷も小さく、さらに工業的に採用しやすい、トランス体のエチレン誘導体の製造方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表されるシス体のエチレン誘導体を、不活性雰囲気又は超臨界二酸化炭素雰囲気下で、50°C以上、300°C以下の温度で保持するシス-トランス異性化反応工程を有するトランス体のエチレン誘導体の製造方法とすることによって、上記課題を解決する。一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基等の所定の基を表す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるシス体のエチレン誘導体を、不活性雰囲気又は超臨界二酸化炭素雰囲気下で、50°C以上、300°C以下の温度で保持するシス-トランス異性化反応工程を有することを特徴とするトランス体のエチレン誘導体の製造方法。

IPC (4件)：

C07C 315/04 ,  C07C 317/14 ,  B01J 3/04 ,  B01J 3/00

FI (4件)：

C07C315/04 ,  C07C317/14 ,  B01J3/04 G ,  B01J3/00 A

Fターム (9件)：

4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB84 ,  4H006AC14 ,  4H006BB61 ,  4H006BC10 ,  4H006BD84 ,  4H006TA02 ,  4H006TB23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第1141690号
  
• エチレン系不飽和カルボン酸又はそのエステルの異性化物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-313916   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• シトラール水素化物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-085043   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 気体状態又は超臨界状態の媒体の計量導入方法及びそのための装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-223230   出願人：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 材料, 1996, Vol.45, No.3, pp.262-267