特許

J-GLOBAL ID：200903090670449755

有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応による液状シリカ層の形成

発明者： ファーハッド モグハダム ,  デイヴィッド ダブリュー. チェン ,  エリー イー ,  リー-チャン シー ,  ウェイ-ファン ヨー ,  チー-アイ ラン ,  シン-プー ジェン ,  フレデリク ゲラルド ,  シャンカー ヴェンカタラマン ,  スリニヴァス ディ. ネマニ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187960
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148382
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。【解決手段】 約400°C未満の基板温度での有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応によって低比誘電体率を有する酸化珪素層を堆積する。これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。堆積に先立って水あるいは有機化合物からヒドロキシル化合物を調製することができる。酸化珪素層は、約3.0未満の誘電率を有するギャップ充填層を与えるために有機珪素化合物から生成されたライナー層の上に約40°C未満の基板温度で堆積されることが好ましい。

請求項（抜粋）：

低誘電率薄膜を堆積する方法であって、約400°C未満の温度で基板を収容するチャンバ内で少なくとも一つの珪素-炭素結合を有する一つ以上の珪素化合物をヒドロキシル形成化合物と反応させることを含む、低誘電率薄膜を堆積する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-043696   出願人：三菱電機株式会社
• 低誘電率絶縁体膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157069   出願人：ソニー株式会社