特許
J-GLOBAL ID:200903090676125978

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-285493
公開番号(公開出願番号):特開2009-117427
出願日: 2007年11月01日
公開日(公表日): 2009年05月28日
要約:
【課題】本発明は、アンダーフィル剤中のボイドの発生が少なく、電極や半導体チップおよび回路基板とアンダーフィル剤との密着力に優れ、さらに接続信頼性にも優れた実装構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供すること課題とする。【解決手段】半導体チップ1の電極2が回路基板3の電極パッド4に接合される。半導体チップ1と回路基板3との間が第2の樹脂層5により封止される。半導体チップ1の電極2の周囲に第1の樹脂層7が密着して設けられる。第1の樹脂層7の周囲に第2の樹脂層5が設けられる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
半導体チップの電極が回路基板の電極パッドに接合され、該半導体チップと該回路基板との間が第2の樹脂層により封止されている半導体装置であって、 前記半導体チップの前記電極の周囲に第1の樹脂層が密着して設けられ、該第1の樹脂層の周囲に前記第2の樹脂層が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/60 311S
Fターム (2件):
5F044LL11 ,  5F044QQ04
引用特許:
出願人引用 (3件)

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