特許
J-GLOBAL ID：200903086601236920

半導体装置

発明者：
高梨 健

高梨 健 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147886
公開番号（公開出願番号）：特開平8-019164
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 過電流検出レベルの温度依存性を容易に解消ないし緩和する。【構成】 コンパレータC1は、直流電圧Vrefを抵抗素子R1,R4で分圧して得られる基準電圧Vocと、センス電流Isによって抵抗素子R3に発生するセンス電圧Vsとを比較することによって、過度な主電流Icが流れたことを検出する。主電流Icとセンス電流Isとの分流比は温度の上昇にともなって低下するが、抵抗素子R4の抵抗値が適切な範囲の正の温度係数を有するように、抵抗素子R4を設定することによって、過電流検出レベルの温度依存性が解消ないし緩和されている。抵抗素子R4の値が変わっても分流比への影響がないので、抵抗素子R4の温度係数の最適化が容易に行い得る。【効果】 過電流検出レベルの温度依存性が容易に解消ないし緩和される。
請求項（抜粋）：
主電流に比例してセンス電流が流れる半導体素子と、外部から付与される直流電圧を分圧する直列接続された第1および第2抵抗素子と、前記センス電流が流れる第3抵抗素子と、当該第3抵抗素子に生じるセンス電圧を前記第2抵抗素子に生じる基準電圧と比較するとともに前記センス電圧が前記基準電圧を超えるときに所定の信号を送出する比較手段と、を備える半導体装置において、前記第3抵抗素子の抵抗値の温度係数は-200〜+200ppm/degの何れかに設定されており、しかも前記主電流と前記センス電流との分流比の温度係数βに応じて、前記第1抵抗素子における抵抗値の温度係数α1および当該抵抗値の25 ゚Cにおける値R1、並びに、前記第2抵抗素子における抵抗値の温度係数α2および当該抵抗値の25 ゚Cにおける値R2との間に、温度変化ΔT=100degに対して、1+α2・ΔT=R1・(1+α1・ΔT)/[(1+β・ΔT)・(R1+R2)-R2]の関係が略成立するように、前記温度係数α1およびα2が最適化され、その結果、前記比較手段が前記所定の信号を送出するための前記主電流の下限値の温度係数の絶対値が前記温度係数βの絶対値の1/2以下に低減されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H02H 3/08 ,  H02M 7/48
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM