特許
J-GLOBAL ID：200903090678862295

磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法

発明者：
細谷 啓司

細谷 啓司 について

, 
浅尾 吉昭

浅尾 吉昭 について

, 
仁田山 晃寛

仁田山 晃寛 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-269334
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091537
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】セルサイズの微細化を図る。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第1の配線BLと、この第1の配線の上方に第1の配線と離間して設けられた第2の配線WWLと、第1及び第2の配線間に配置され、第1の配線の上面に接して配置され、固定層と記録層と非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子MTJと、この磁気抵抗効果素子上に配置され、磁気抵抗効果素子と積層して一体に形成された金属層HMと、金属層、磁気抵抗効果素子及び第1の配線の側面に設けられたサイド絶縁膜24と、このサイド絶縁膜の側面と接して形成されたコンタクト26と、金属層及びコンタクト上に配置され、磁気抵抗効果素子とコンタクトとを電気的に接続する第3の配線WWLとを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の配線と、 前記第1の配線の上方に前記第1の配線と離間して設けられた第2の配線と、 前記第1及び第2の配線間に配置され、前記第1の配線の上面に接して配置され、固定層と記録層と前記固定層及び前記記録層との間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子上に配置され、前記磁気抵抗効果素子と積層して一体に形成された金属層と、 前記金属層、前記磁気抵抗効果素子及び前記第1の配線の側面に設けられた第1のサイド絶縁膜と、 前記第1のサイド絶縁膜の側面と接して形成された第1のコンタクトと、 前記金属層及び前記第1のコンタクト上に配置され、前記磁気抵抗効果素子と前記第1のコンタクトとを電気的に接続する第3の配線と を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (57件)：
4M119AA01 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD22 ,  4M119DD23 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD27 ,  4M119DD33 ,  4M119DD37 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE12 ,  4M119EE13 ,  4M119EE22 ,  4M119EE29 ,  4M119FF03 ,  4M119FF05 ,  4M119FF07 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119GG01 ,  4M119GG08 ,  4M119JJ15 ,  4M119JJ16 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB16 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC42 ,  5F092BC46 ,  5F092EA01 ,  5F092FA09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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