特許

J-GLOBAL ID：200903090747787101

半導体レーザおよびその製法

発明者： 虫上 雅人 ,  手銭 雄太 ,  村山 実
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328339
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186324
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザにおいて、電流阻止層を選択的にエッチングできるものとし、製造プロセスの簡略化と量産性の向上をはかる。【構成】 GaAsおよびAlGaAsを主体とした半導体材料から構成される半導体レーザにおいて、電流阻止層にAlGaInPを用いる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型の下部クラッド層、活性層、第2導電型の上部第1クラッド層、ストライプ状の開口部を備えた第1導電型の電流阻止層および第2導電型の上部第2クラッド層が、順次積層されてなり、前記下部クラッド層、上部第1クラッド層および上部第2クラッド層、活性層の各々が、組成式:Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(xは、0≦x<1、ただし、活性層においては0≦x≦0.3の範囲内で層ごとに所定の値)で表される化合物半導体からなるとともに、前記電流阻止層が、組成式:(Al<SB>v</SB>Ga<SB>1-v</SB>)<SB>z </SB>In<SB>1-z</SB>P(zは約0.5)で表される化合物半導体からなる半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-213181
  
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-279907   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-006949   出願人：三洋電機株式会社