ドライエッチング方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044174
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】プラズマ放電により分解された臭化水素を用いたITOのドライエッチングにおいて、高真空状態でエッチングした場合であっても、エッチングマスクに対して高い選択比が得られるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】臭化水素ガスにCF系ガスを添加することにより、ITOのエッチング中に、エッチングマスク上に有機物の保護膜を堆積させることができ、高真空状態でエッチングした場合であっても、かかる保護膜がエッチングマスクを保護し、高いエッチング選択比が得られる。

請求項（抜粋）：

臭化水素ガスをプラズマ放電により分解し、分解された該臭化水素を用いてITOをエッチングするドライエッチング方法であって、該臭化水素ガスに、炭素及び弗素を含むガスを添加することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G02F 1/1343 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 F , G02F 1/1343 , H01L 31/04 M

Fターム (24件)：

2H092MA18 , 2H092NA29 , 4K057DA13 , 4K057DB11 , 4K057DD01 , 4K057DE06 , 4K057DE11 , 4K057DM05 , 4K057DM17 , 4K057DM28 , 4K057DM31 , 4K057DN01 , 5F004AA04 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA16 , 5F004DB31 , 5F004EA13 , 5F051CB22 , 5F051CB27 , 5F051FA02 , 5F051FA30

引用特許：

審査官引用 (4件)

乾式プロセスガス
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-111345 出願人：三井化学株式会社
パターニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-157215 出願人：三菱マテリアル株式会社
酸化スズインジウムの反応性イオンエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-005825 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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