特許
J-GLOBAL ID:200903090863196781

レジスト現像処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-040558
公開番号(公開出願番号):特開平9-326361
出願日: 1997年02月25日
公開日(公表日): 1997年12月16日
要約:
【要約】【課題】半導体装置を製造する際のレジスト現像処理工程で発生するブリッジングを十分に減少させる。【解決手段】レジスト2で被覆された半導体ウエハ1上に現像液4を散布してパドル6を形成し、現像液4中でレジストの一部分を溶解することによってウエハ1の表面上でレジスト2を現像し、ウエハ1の表面上に新たな現像液9を散布し、一方で、別のパドルを形成せずにウエハ1の表面上に存在するレジストの溶解した部分を含む現像液の濃度を減少するようにウエハ1を回転させる工程を含んでいることを特徴とする。新たな現像液9の散布によって溶解されたレジストを含む現像液4が置換され、水7によるリンスによって現像液に含まれているレジストが沈殿してブリッジを形成することが防止される。
請求項(抜粋):
表面にレジストが形成された半導体ウエハ上に第1の現像液を供給してパドルを形成する第1の工程と、上記ウエハの表面上で上記第1の現像液によりレジストを現像し、上記レジストの一部分を溶解させる第2の工程と、上記ウエハを回転させながらウエハの表面上に第2の現像液を供給することにより、別のパドルを形成することなしに、溶解したレジストを含んでいる上記第1の現像液の濃度を減少させる第3の工程とを具備したことを特徴とするレジスト現像処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/30
FI (2件):
H01L 21/30 569 C ,  G03F 7/30
引用特許:
審査官引用 (6件)
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