特許

J-GLOBAL ID：200903090871384228

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 内海 勝喜 ,  三木 啓司 ,  松島 芳宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-421737
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183640
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】半導体装置の個片化加工時の衝撃力や、個片化された半導体装置への外力などによって発生するチッピング若しくはメタルばりが、半導体装置の品質低下及び個片化以降工程で製造不良になることを防止する。【解決手段】チッピング101若しくはメタルばり102が発生してもチッピング101若しくはメタルばり102発生面にコーティングすることによって、半導体装置1はチッピング101による強度低下を補う品質向上ができ、またメタルばり102もコーティングされるため突発性外力が半導体装置1に加わっても半導体装置1からメタルばり102が脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定する。更にコーティングによってダイスボンディング時の接着樹脂が半導体装置電極11への這い上がりを防止でき生産性も向上でき、品質の良い生産的に安価な半導体装置とかつその半導体装置の製造方法並びに製造装置を提供できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の電極を具備する半導体装置であって、 半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも半導体装置電極に到らない領域に半導体装置と同一または異種の材料で形成された任意の形状のコート部を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

FI (2件)：

H01L23/30 R ,  H01L21/56 R

Fターム (5件)：

4M109AA01 ,  4M109CA08 ,  5F061AA01 ,  5F061CA08 ,  5F061CB04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-314712   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-282243   出願人：岩手東芝エレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝