特許

J-GLOBAL ID：200903090888190923

発光素子及びその製造方法

発明者： 雲見 日出也 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049022
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338631
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 電極と発光性多孔質層との界面特性に優れた発光素子を供給すること。【構成】 結晶性半導体からなる発光性多孔質材料を含む発光領域と隣接する非多孔質領域を有する発光素子であって、前記発光領域と前記非多孔質領域の界面において両領域間の導電型が異なり、且つ両領域間の結晶構造が連続していることを特徴とする発光素子。【効果】 発光効率の優れた実用に供し得る発光素子を供給できる。

請求項（抜粋）：

結晶性半導体からなる発光性多孔質材料を含む発光領域と隣接する非多孔質領域を有する発光素子であって、前記発光領域と前記非多孔質領域の界面において両領域間の導電型が異なり、且つ両領域間の結晶構造が連続していることを特徴とする発光素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• Si発光装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-138333   出願人：株式会社日立製作所
• Si発光装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195650   出願人：富士通株式会社