超純水及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147150
公開番号（公開出願番号）：特開2003-334550
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：

【要約】【課題】不純物が少なく且つ、洗浄に用いた場合に不純物の半導体材料上への付着が少ない超純水及びその製造方法を提供する。【解決手段】正のゼータ電位を有する物質の含有率が、0.3ppb以下であることを特徴とする超純水。

請求項（抜粋）：

正のゼータ電位を有する物質の含有率が、0.3ppb以下であることを特徴とする、超純水。

IPC (4件)：

C02F 1/42 , B01J 39/20 , B01J 41/14 , C01B 5/00

FI (4件)：

C02F 1/42 B , B01J 39/20 F , B01J 41/14 F , C01B 5/00 Z

Fターム (10件)：

4D025AA04 , 4D025AB08 , 4D025AB14 , 4D025AB38 , 4D025BA09 , 4D025BA14 , 4D025BB04 , 4D025BB07 , 4D025CA08 , 4D025CA10

引用特許：

審査官引用 (7件)

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