特許
J-GLOBAL ID：200903090907186401
固体撮像素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357902
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158256
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 第1の転送電極と第2の転送電極との間に、リソグラフィ技術を用いることなく、微細な膜厚の相間絶縁膜を形成することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜(研磨抑止膜)14をマスクとして、ゲート絶縁膜12の露出部を選択的に除去した後、絶縁膜14を覆うようにして基板11上に、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition ) 法により、所望の厚さの相間絶縁膜15を形成する。続いて、第1相転送電極13,13間を埋め込むように導電膜を形成し、この導電膜を第1相転送電極13および絶縁膜14の合計の膜厚と同じになるように研磨する。これにより相間絶縁膜15(相間ギャップ)を間にして第1相転送電極13および第2相転送電極16よりなる平坦な転送電極30が単層で形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に受光素子部が形成されると共に、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を間にして転送部が形成された構造を有する固体撮像素子の製造方法であって、前記ゲート絶縁膜の上に、第1の電極膜および研磨抑止膜を順次形成する工程と、前記研磨抑止膜の上に第1のマスクを形成し、前記第1のマスクを用いて第1の電極膜を選択的に除去した後、前記第1のマスクを剥離することにより前記転送部を構成する第1の転送電極を形成する工程と、前記第1の転送電極および研磨抑止膜をマスクとして、ゲート絶縁膜の露出部を選択的に除去する工程と、前記研磨抑止膜を覆うようにして、基板上に絶縁膜を形成することにより、第1の転送電極の側壁に相間絶縁膜を形成する工程と、前記相間絶縁膜を形成した後、前記相間絶縁膜を覆うようにして前記基板上に第2の電極膜を形成する工程と、前記第2の電極膜と研磨抑止膜とを合わせた厚さが第1の転送電極と同じ膜厚となるように、前記第1の転送電極の上方にある第2の電極膜を研磨することにより、前記転送部を構成する第2の転送電極を形成する工程と、前記第1の転送電極および第2の転送電極の上に第2のマスクを形成し、前記第2のマスクを用いて、前記第2の転送電極を選択的に除去することにより、受光のための開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Fターム (16件)：
4M118AA03
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118CA02
, 4M118DA03
, 4M118DA18
, 4M118EA09
, 4M118EA20
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
