特許
J-GLOBAL ID：200903090909519238

エッチングガス

発明者：
毛利 勇

毛利 勇 について

, 
大橋 満也

大橋 満也 について


出願人/特許権者：
セントラル硝子株式会社

セントラル硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-206707
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038581
出願日： 1998年07月22日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 LSI、TFTなどの半導体デバイスの製造用途に適したエッチングガスを提供する。【解決手段】 基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、CF3OOCF3からなるガスを含有したエッチングガスで、さらに、CF3OOCF3からなるガスと水素または水素含有化合物ガスとを含有したエッチングガス。
請求項（抜粋）：
基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、CF3OOCF3からなるガスを含有したエッチングガス。
IPC (3件)：
C09K 13/08 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
C09K 13/08 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/302 F
Fターム (11件)：
5F004AA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB03 ,  5F004DB13
引用特許：
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM