特許
J-GLOBAL ID:200903090926991919
電子部品製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-013726
公開番号(公開出願番号):特開平11-214446
出願日: 1998年01月27日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】 バンプ付電子部品の金バンプとの良好な導通と、半田バンプのボンディング性をともに確保することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板11にバンプ付電子部品16の金バンプ17と導通させるための電極12と半田バンプ15を形成するための電極13を形成し、電極12、13上にニッケル膜および金膜を順次形成を形成する。電極12の金膜表面に生成した導通阻害物をプラズマ処理により除去した後に、金バンプ17を電極12に位置合せして導通させるとともにバンプ付電子部品16を基板11に絶縁樹脂により封止して固着させる。この後、電極13上に半田バンプ15を形成する。これにより金バンプ17を良好に導通させるとともに、電極13に半田バンプ15を接合性良く形成することができる。
請求項(抜粋):
基板にバンプ付電子部品のバンプと導通させるための第1の電極と半田バンプを形成するための第2の電極を形成する第1の工程と、これらの電極上に少なくともニッケルを含むバリア層を形成する第2の工程と、これらのバリア層の表面に金膜を形成する第3の工程と、前記第1の電極上の金膜の表面に生成した導通阻害物を除去する第4の工程と、バンプ付電子部品のバンプを前記第1の電極に位置合せして導通させるとともにこのバンプ付電子部品を基板に固着させる第5の工程と、前記第2の電極上に半田バンプを形成する第6の工程とを含むことを特徴とする電子部品製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H01L 23/12
FI (4件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 R
, H01L 21/92 604 A
, H01L 23/12 L
引用特許:
出願人引用 (6件)
-
特開昭55-086143
-
特開昭55-086130
-
特開平3-241755
全件表示
前のページに戻る